技术编号:10554378
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。如图1所示,是现有的分离栅功率MOS管的结构示意图,其中栅极为沟槽型;现有分离栅功率MOS管由多个单胞结构并联形成,包括衬底I以及形成于所述衬底I顶部表面的外延层2;体结注入层8,形成于所述外延层2的顶部区域;源极注入层9,形成于所述体结注入层8的顶部区域;多个分离栅沟槽结构,所述沟槽穿过所述源极注入层9和所述体结注入层8并进入到所述体结注入层8底部的外延层2内;沟槽中有分离栅多晶硅4和栅极多晶硅7,栅极多晶硅7和沟槽的侧壁表面隔离有栅氧化层6,栅极多晶硅...
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