技术编号:10557248
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 氧化物半导体与通用的非晶硅(a-Si)相比迀移率高,光学带隙大,能以低温成膜。 因此,期待其面向要求大型、高分辨率、高速驱动的新一代显示器、耐热性低的树脂基板等 的应用。例如,作为上述氧化物半导体,通常使用由铟、镓、锌和氧构成的非晶氧化物半导体 (In-Ga-Zn-O、以下有时称为"IGZ0"。)(专利文献1)。 近年来,在氧化物半导体中,向进一步高迀移率化的要求特性变强。例如,如果能 将氧化物半导体的迀移率提高到低温聚娃半导体(Low-temperat...
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