技术编号：105667
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体光电探测器，它是一种对紫光和紫外光敏感的硅光敏三极管，可以探测从紫外到近红外光谱区的入射光。现有的硅光敏三极管，都是以基区作为直接受光面。当有光照射在硅光敏三极管上时，由于光在硅中的吸收系数随波长而异，长波长的光在硅中的吸收系数小，可以透过基区而在集电区中被吸收，短波长的光如紫光和紫外光在硅中的吸收系数很大(α＝105cm－1－106cm－1)，因此，它们在基区表面很薄的一层内就几乎被完全吸收。因为基区掺杂浓度较高，其表面浓度一般在1018cm－3以上，使基区中少子扩散长度变得很短，那些由紫...
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