技术编号：10571286
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，在载玻片基体或PET基体上覆有TiN或GaN薄膜，所述的薄膜厚度为30～50nm；采用真空热蒸镀法制备镀有氮化物保护层的石墨烯电极，在真空蒸发镀膜设备中加热蒸发物质使之气化，气化后的粒子射向基片同时在基片上沉积形成固态薄膜，在基体表面制备出氮化物薄膜；本发明的优点是采用真空蒸镀的方法制备镀有氮化物保护层的石墨烯电极，解决了复合薄膜石墨烯暴露在外表层容易被划伤而失去其最佳导电性的问题。实现了在不破坏石墨烯原有透光性、导电性基础上完成对石墨烯表面的...
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