技术编号:10571422
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件通过在半导体衬底的主表面上形成半导体元件诸如MISFET,然后在半导体衬底的主表面上形成由多个层间绝缘膜和多个布线层组成的多层布线结构来制造。日本未审专利申请公开N0.平成9(1997)-241518(专利文献I)描述了一种通过旋涂形成绝缘膜的技术。日本未审专利申请公开N0.平成9(1997)-161330(专利文献2)描述了一种通过喷涂将保护涂层材料涂覆到表面,然后通过超声振荡将涂覆的表面平整化的技术。日本未审专利申请公开N0.平成8(1996...
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