技术编号:10571431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。闪存器件由于擦写速度要求在存储区采用浅槽嵌壁(CRS)工艺,增加0N0(0xide-Nitride-Oxide,氧化物/氮化物/氧化物,一般为二氧化硅/氮化硅/ 二氧化硅)的面积从而提高耦合率。由于浅槽嵌壁需要通过湿法刻蚀工艺来完成,对湿法刻蚀光阻侵蚀能力存在一定程度的挑战。但是,如图1所示,在现有技术的浅槽嵌壁工艺中,湿法刻蚀易发生光阻剥落,导致浅槽嵌壁刻蚀阻挡,最终影响器件耦合率,对良率及可靠性存在直接的影响。因此,希望能够提供一种能够有效。发明内容本...
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