技术编号：10571507
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。晶硅异质结太阳电池的典型代表为日本松下公司的基于η型硅片的双面异质结HIT结构，该结构的问题主要有1)ΙΤ0层、掺杂和本征非晶硅层有较大的光吸收损耗;2)双面银栅线与双面ITO相比于常规晶硅太阳电池消耗了双倍的银量以及大量的ITO稀缺高价材料，且即使如此，该类太阳电池的串联电阻相比于常规晶硅太阳电池仍然较大;3)制备技术与现有晶硅太阳电池产线技术几乎不兼容，导致生产技术需全部革新，技术换代成本高。通过器件结构的创新减少光吸收损耗，并且减少贵重金属银和ITO...
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