技术编号：10571952
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 半导体激光器从最初的低温25°C运转发展到室温下连续工作，现在发展到在高温 85°C连续工作，其半导体激光器有源区从同质结发展成单异质结、双异质结、量子阱(单、多 量子阱）等多种形式，归根到底是提高了半导体有源层材料的外量子效率及内量子效率和 转换效率。 现有技术中，AlGalnAs/InP材料量子阱结构中导带偏移ΔEc = 0.4ΔEg，这样只能 具有较小的电子限制势，当激光器在高温条件或高载流子密度的情况下，容易发生载流子 穿越势皇层发生泄漏，以及因...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。