技术编号：10573552
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 作为提高高分子基材的阻气性的技术，公开了例如，使用含有有机硅化合物的蒸 气与氧气的气体，通过等离子体CVD法而在高分子基材上，形成将娃氧化物作为主成分，含 有碳、氢、硅和氧中的至少1种的化合物的层，从而维持透明性的同时提高阻气性的技术(专 利文献1 (参照权利要求））。此外，作为其它提高阻气性的技术，公开了通过在基板上将包含 环氧化合物的有机层与由等离子体CVD法形成的硅系氧化物层交替地进行多层叠层，从而 形成防止了由膜应力引起的裂纹和缺陷产生的多层叠层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。