技术编号：10573722
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 瓣射为如下方法在真空下导入氣气等惰性气体而在基板与祀材之间施加直流的 高电压，由此，使等离子化(或离子化)后的惰性气体与祀材碰撞，将祀材中含有的祀原子击 出，使该击出的原子堆积在基板上，在该基板上形成薄膜。 例如，一般熟知在祀材的瓣射面（即，祀材中等离子化(或离子化)后的惰性气体所 碰撞的面)的背侧配置磁体而提高成膜速度的磁控瓣射等。 运样的瓣射中使用的瓣射祀通常包含圆盘形状的表面平坦的祀材，其瓣射面为圆 形。 与此相对，为了提高寿命，例如，在专利文献1...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。