技术编号:10573964
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 非易失性半导体存储器设备在本领域中是熟知的。参见例如美国专利No. 5,029, 130,该专利以引用方式并入本文以用于所有目的。参考图1,示出了常规非易失性半导体存 储器单元10。单元10包括半导体衬底12,诸如硅。在一个实施例中,衬底12可为P型硅衬底。 在衬底12内,限定有源极区14和漏极区16,在这两者之间设有沟道区18。与漏极区 16的单次注入工艺相比,源极区14使用双重注入工艺形成,使得与漏极区16的较低击穿电 压(例如,约5伏或更小)相比,...
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