技术编号:10573967
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种导电糊和一种用于使用所述导电糊制造半导体装置的方法,所述导电糊不含有害材料如铅、砷、碲或锑,并且可以不仅在较低温度(例如,在370℃以下)实现粘合,而且甚至在较高温度(例如,在300至360℃)也保持粘合强度。本发明提供一种导电糊,其包含(A)导电粒子、(B)基本上不含铅、砷、碲和锑的玻璃料以及(C)溶剂,其中所述玻璃料(B)具有320至360℃的再熔温度,其中所述再熔温度由通过差示扫描量热计所测量的DSC曲线中的吸热量为20J/g以上的至少...
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