技术编号：10575810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 使用常规光刻法图案化的光致抗蚀剂(PR)掩模具有高厚度和高蚀刻速率。此外， 由于蚀刻残渣，PR掩模的使用在MTJ堆叠件上引起再沉积。 当PR掩模用于形成具有低蚀刻速率的待蚀刻的金属层的图案时，PR掩模的高蚀刻 速率降低具有低蚀刻速率的待蚀刻的金属层的蚀刻选择性，并因此，引起低蚀刻斜坡。因 此，这种PR掩模特征有时变成降低设备性能和防止高集成的因素。 为了解决PR掩模的这种问题，目前已使用硬掩模技术。TiN薄膜等正被用作硬掩模 材料。 使用采用高密度等离子...
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