技术编号:10577633
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在当前的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)制造工艺中,离子植入机对沉积的非晶娃(amorphous si I icon,简称a_Si)整面的进行掺杂处理,而后对掺杂有掺杂离子的非晶娃进行热退火(Rapid Thermal Anneal,RTA)结晶处理,从而得到TFT的有源层。这种结晶方法实质上是在植入掺杂离子后对非晶硅整面性的进行结晶,非晶硅颗粒的结晶方向是随机的,结晶效率和结晶均一性较低,容易出现较多的晶界,从而降低TFT的...
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