技术编号：10577960
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。高压开关晶体管(诸如功率M0SFET、结型场效应晶体管(JFET)和氮化镓(GaN)高电子迀移率晶体管(HEMT))通常被用作高压和大功率设备(诸如开关模式电源、电机控制器以及高压和大功率开关电路)中的半导体开关。这些器件中的一些(诸如GaN HEMT)具有在非常大的电压下操作而不使器件击穿或受到损伤的能力。在许多应用中，通过特殊的驱动电路来驱动高压开关晶体管，驱动电路产生适合于特定应用和被驱动的开关晶体管的具体技术的开关电压。例如，被称为高压电源节点的高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。