技术编号：10579205
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。极紫外(EUV)光例如具有约50nm或更小波长(有时也称作软X射线)并且包括约13nm波长的光的电磁辐射可以用于光刻工艺以在基板例如硅晶片中制造极其细微的特征。用于制造EUV光的方法包括但不限于将具有例如氙、锂或锡的元素的材料转换为具有在EUV范围中发射线的等离子状态。在一个这种方法中，可以通过使用可以称作驱动激光的放大光束照射例如形式为材料的小滴、细流或丛束的标靶材料而产生通常所称为激光诱导等离子体(“LPP”)的所需等离子体。对于该工艺，通常在密封容器...
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