技术编号：10579233
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。当前，作为降低续流二极管的导通损耗和恢复损耗的技术，有在阳极侧设有MOS栅极的结构、在阴极侧设有MOS栅极的结构(例如，参照专利文献I和专利文献2)。此外，当前，作为与在IGBT的集电极侧设有MOS栅极的结构相关的技术，着眼于降低开关损耗(例如，参照专利文献3、专利文献4以及专利文献5)。此外，目前已知基于阴极侧的电荷减少的振动发生的机理(例如，参照非专利文献I和非专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献I日本特开平10-163469号公报专利文献2日本...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。