技术编号：10592494
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 离子敏感场效应管(1n-sensitive field-effect transistor)基础是场效应晶体管(FET)，配合离子选择电极作为敏感膜组合而成，能够构建多样性的生物/化学传感器。 它兼具电化学和晶体管双重特性，由离子敏感膜和电解质溶液共同形成器件栅极，利用溶液与敏感膜之间产生的随离子浓度变化的电化学势，使晶体管的阈值电压发生调制效应。 该阈值电压调制效应与离子浓度之间具有类似于能斯特公式的关系，因此传感器的灵敏度不会超过理论极限值。由于更优...
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