技术编号:10595841
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。迄今为止,已经针对静电放电(ESD)提出了保护电路的各种提案。ESD指从带电体或机械到半导体器件的放电、以及从带电半导体器件到接地电位的放电。当半导体器件中发生ESD时,大量的电荷作为电流从端子流入半导体器件,并且电荷在半导体器件内部产生高电压,从而引起例如内部元件的电介质击穿并且随后在半导体器件中引起故障。静电保护电路的代表性示例是RC触发(RCT)MOS电路。RCTMOS电路使用包括串联电路的触发电路,串联电路包括串联连接在电源端子之间的电阻器和电容器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。