技术编号:10595865
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有的压接型IGBT(英文全称,InsulatedGate Bipolar Transisitor,中文绝缘栅双极型晶体管)封装结构通常根据芯片来划分成多个单元称为子单元或子模组。典型的IGBT模块封装结构如图1和图2所示,包括多个子模组I,一个PCB电路板2 (英文全称,Printed Circuit Board,中文印制电路板)以及外壳3等部分,夕卜壳3包括顶壳31、中环32和底壳33,其中顶壳31连接各子模组的集电极,底壳32连接各个子模组的发射极,...
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