技术编号:10595869
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 如图1所示,是现有屏蔽栅功率器件的结构示意图;现有屏蔽栅功率器件的导通区由多个原胞周期性排列组成,各所述原胞包括 形成于半导体衬底如娃衬底101表面的N型外延层102,在N型外延层102形成有沟槽511,屏蔽电极411由填充于所述沟槽511底部的多晶硅组成,沟槽栅电极421由填充于沟槽511的顶部的多晶硅组成;屏蔽电极411和沟槽511的底部表面和侧面之间隔离有屏蔽介质膜311;屏蔽电极411和沟槽栅电极421之间隔离有栅极间隔离介质膜321;沟槽栅电极...
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