技术编号:10595870
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 自功率M0S技术发明以来,该技术已取得了很多重要的发展和长足的进步。近年 来,功率M0S技术的新器件结构和新制造工艺不断的涌现,以达到两个最基本的目标最大 的功率处理能力,最小的功率损耗。沟槽栅M0SFET(Trench M0S)技术是实现此目标最重要 的技术推动力之一。最初,Trench M0S技术的发明是为了增加平面器件的沟道密度,以提高 器件的电流处理能力,然而,改进的新的Trench M0S结构不但能降低沟道密度,还能进一步 降低漂移区电阻,Tr...
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