技术编号:10598421
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 晶体管器件的关键设计参数是在给定设计电压下输送的电流。此参数通常被称为 驱动电流或饱和电流(IDsat)。对驱动电流具有影响的一个因素是沟道区的载流子迀移率。 沟道区中的载流子迀移率的增大导致驱动电流的增大。n-MOS和p-MOS晶体管中的载流子分 别是电子和空穴。可以通过将区暴露于单轴拉伸应变来增大n-MOS器件中的沟道区的电子 迀移率。替代地,可以通过在沟道区上施加单轴压缩应变来增大p-MOS器件中的沟道区的空 穴载流子。附图说明 图1A示出了根据本...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。