技术编号:10603067
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 GaAs微波功放忍片与基体(基板)的连接需要有良好的微波接地能力(低欧姆接 触)和较好的散热能力,业内通常选用金锡合金的焊料进行共晶焊接。 目前,现有技术中一种典型的方案是采用半自动共晶贴片机进行GaAs微波功放忍 片的共晶焊接,该焊接工艺具体过程包括先在预先设定高于30(TC的共晶焊台上放上载 体,释放氮气对载体工作面进行保护,加热到30(TC ± 10°C时,吸取金锡焊片放到载体上需 焊接的位置,手动控制设备所带真空吸笔去夹取要焊接的忍片,放到烙化了...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。