技术编号:10607911
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。诸如化学气相沉积(CVD)、等离子增强的CVD(PECVD)、原子层沉积(ALD)、原子层蚀刻(ALE)等的气相过程常常用来将材料沉积到基底的表面上、蚀刻来自基底的表面的材料和/或清洁或处理基底的表面。例如,气相过程可用来沉积或蚀刻基底上的层,以形成半导体装置、平板显示器装置、光伏装置、微机电系统(MEMS)等。通常,多个气相过程用来形成这样的装置。常常,每个过程在其自己的反应室中进行,该反应室可以是独立式反应室,或者该反应室可以是群集工具的一部分。使反应...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。