技术编号:10608000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在晶硅发电领域,目前晶硅生长主要分为直拉(CZ)法制备单晶和定向凝固(DSS)法制备类单晶/多晶等方法。由于现在行业竞争日趋激烈,晶硅越来越向高品质、高效率产品方向发展。由于CZ法制备单晶成本下降,加之其效率较DSS晶硅高,迫使DSS法需要制备更高效、更低成本的产品才能与CZ法晶硅竞争。目前在DSS法制备高效晶硅热场装置如图1所示,是目前DSS法普遍采用的热场结构,包括炉体1、位于炉体I内的隔热笼2、加热装置3、石墨护板4、石英坩祸5、石墨热交换台6及隔热...
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