技术编号：10608007
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。氧化镓材料禁带宽度为4.9eV，在深紫外区透过率可达80%左右，可用于制作紫外激光器，各种传感器元件及摄像元件。另外，它的击穿电场强度约为Si的20多倍，与SiC和GaN相比，采用氧化镓材料可制造出高耐压且低损耗的功率半导体元件，是一种很有前途的宽禁带氧化物半导体材料。然而，氧化镓熔点较高(1740-1820°C)，易挥发和分解，同时对坩祸腐蚀较为严重，因而晶体生长过程中容易引入杂质，产生较多缺陷。由于氧化镓熔点高，并且在熔点附近容易挥发和分解，因此，生长...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。