技术编号：10614516
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在光电子忍片的封装中，由于电吸收调制器或其它器件具有高阻特性，会与现有 50 Q通讯系统发生阻抗失配，进而严重影响忍片的最终性能。通常，为了达到阻抗匹配，需 要给高阻器件并联一个50 Q电阻，运在高速光电子集成忍片的封装中是最普遍的方法。然 而，在并联匹配电阻时，需要使用大量金丝(尤其在多通道的阵列集成忍片封装中）分别连 接传输线与高阻器件电极，匹配电阻与高阻器件电极，由此得到并联结构。运种方法使得金 丝之间、金丝与焊盘之间会产生寄生电感、寄生电容，运在...
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