具有超势垒集电极结构的ligbt器件及其制造方法技术资料下载

技术编号:10614562

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横向绝缘栅双极晶体管(^Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor = LIGBT) 具有电压控制、开关速度快、输入阻抗高和通态压降小等优点,且横向结构IGB^Lateral IGBT,LIGBT),与纵向结构相比更易于集成在娃基、尤其是SOKSilicon On Insulator)基 的功率集成电路中,是智能功率集成电路(Smad ^wer Integrated Circuit = SPIC)中典 型的核屯、器...
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