技术编号：10614563
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。—种常见的基于硅碳(SiC)的功率半导体整流器在图1中以截面示出。它包括SiC 晶圆，其中包括衬底层1，其由高掺杂n型Sic来制成；以及漂移层2,其由衬底层1上形成的低掺杂n型SiC来制成。SiC晶圆具有第一主侧3以及与第一主侧3平行的第二主侧4 AiC晶圆的第一主侧3(其为装置的阳极侧)覆盖有第一金属接触层5,其形成与漂移层2的肖特基接触。在第二主侧4 (其为装置的阴极侧)上，形成有第二金属接触层6。通常，漂移层2在高掺杂 n型SiC衬底晶圆(其用作衬底...
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