技术编号：10614569
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。作为抑制高电场下的电子迀移率的下降的半导体，有宽能隙半导体。例如，在使用氮化物半导体的半导体装置中，能以栅极电极的电位控制由二维电子气形成的电子电流。在栅极电极与氮化物半导体之间设置着栅极绝缘膜。这种半导体装置中，为了在高电压下进行动作，而要求可靠性高的栅极绝缘膜。然而，在利用等离子体加工栅极电极时，存在栅极绝缘膜被暴露在等离子体中而在栅极绝缘膜产生缺陷的情况。由此，栅极绝缘膜的绝缘性下降。发明内容本发明要解决的问题在于提供一种抑制栅极绝缘膜的绝缘性下降的...
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