技术编号:10614622
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 W往,包含Al、Ga、In等与N的化合物的第III族氮化物半导体用作紫外光发光元件 的材料。其中,包含高Al组成的AlGaN的第HI族氮化物半导体用于紫外发光元件、发光波长 SOOnmW下的深紫外光发光元件(DUV-LED)。 作为发光元件要求的特性,例如可列举出高外部量子效率特性、低阻抗特性。专利 文献1记载了通过在量子阱结构的发光层与P型包层之间形成被称为电子阻挡层的成为电 子的能垒的层,提高发光效率。 现有技术文献 专利文献 专利文献1日本特开20...
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