技术编号:10617964
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 SRAM(静态随机存取存储器)位单元的缩放是深度亚纳米工艺技术中的难题,其原 因在于(例如)随机掺杂剂波动的增大、栅极功函数变化、器件量子化和偏置温度不稳定性 (NBTI)的影响。为了缓解上述影响,将辅助电路用于SRAM阵列。辅助电路的示例包括写入辅 助(WA)电路和读取辅助(RA)电路。写入辅助(WA)电路与读取辅助(RA)电路相结合可以扩展 设计窗口。这一结合使得SRAM位单元能够满足功率/性能以及工艺缩放要求。然而,已知的 WA和RA电路实质上是静...
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