技术编号：10617993
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。离子植入是通过已激发的离子直接轰击衬底，而将化学物质沉积到衬底中的工艺。在半导体制造中，离子植入机主要用于改变目标材料的导电性的类型及水平的掺杂工艺。在集成电路(integrated circuit，IC)衬底以及其薄膜结构中的精确的掺杂浓度(doping profiIe)对于恰当的IC性能是重要的。为了实现所需的掺杂浓度，可以不同的剂量并且在不同的能量下植入一或多种离子物质。在一些离子植入工艺中，所需掺杂浓度是通过在高温(例如，在摄氏150到600度之间...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。