技术编号:10618016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体器件包括栅极(210)和毗邻于该栅极的第一有源触点(220)。此类器件进一步包括被电耦合至第一有源触点的第一堆叠式触点(1310),第一堆叠式触点在侧壁上包括将第一堆叠式触点与栅极电隔离的第一隔离层(1200)。该器件还包括被电耦合至栅极并落在第一堆叠式触点上的第一通孔(2000)。第一通孔将第一堆叠式触点和第一有源触点耦合至栅极以使该栅极接地。专利说明缩放布局设计中将虚栅极接地相关申请的交叉引用本申请主张以Stanley Seungchul S...
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