技术编号:10618033
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种FinFET,其具有在该FinFET的鳍沟道之下的背栅和阻挡层,其中该阻挡层具有比该背栅的带隙更大的带隙。该阻挡层用作该鳍沟道下的蚀刻停止层,从而导致减小的鳍沟道高度变化。该背栅提供改进的电流控制。由于该较高带隙的阻挡层而有较少穿通。该FinFET还可包括毗邻源极/漏极扩散的深嵌式应力源,这些深嵌式应力源穿过该高带隙阻挡层。专利说明具有背栅、无穿通且具有减小的鳍高度变化的F i nFET 公开领域本发明涉及晶体管,尤其涉及FinFET。背景技术FinF...
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