技术编号：10618170
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。许多半导体器件通过在基片上进行处理而形成。基片通常为晶体材料的板。典型地，基片通过晶体材料的沉积而形成，且为圆盘的形式。用于形成这种基片的一个常见过程为外延生长。例如，由半导体化合物，如II1- V族半导体形成的器件，典型地应用金属有机化学气相沉积(或称“M0CVD”)通过生长半导体化合物的连续层而形成。在这个过程中，基片暴露至基片表面上方流动的气体组合物，同时基片保持在高温下，气体组合物通常包括作为III族金属来源的金属有机化合物，还包括V族元素的来源。...
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