技术编号：10624107
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在制造半导体器件的过程中，尤其当半导体器件的特征尺寸越来越小的情况下，对于衬底上由相间排列的线(line)和间隔(space)形成的精细图案，一般采用双图案(Double-Patterning)技术，如光刻-冻结-光刻_刻蚀工艺(LFLE，Litho-Freeze-Litho-Etch)、光刻-刻蚀-光刻-刻蚀(LELE，Litho-Etch-Litho-Etch)工艺以及自对准双图案(SADP，Self-Aligned Double Patterning...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。