技术编号：10625636
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在等离子蚀刻装置等减压处理装置中，通过使腔室内成为真空状态并产生等离子而进行针对晶片的处理。因此，当保持晶片的卡盘工作台采用真空吸附方式时，对晶片进行可靠地保持是较困难的。因此，在减压处理装置中采用利用静电吸附力来吸附保持晶片的静电吸附方式(例如，参照专利文献I)。对晶片进行静电吸附的静电卡盘由介电常数高的绝缘体形成，在其内部具有下部电极，存在具有两个下部电极的双极型的静电卡盘和具有I个下部电极的单极型的静电卡盘。在通过等离子蚀刻来分割晶片的情况下为了维持...
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