技术编号：10625640
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。石墨稀材料是目如广泛研究的一种碳基材料，其具有尚的载流子迁移率、尚导电性能和高导热性。目前，在非金属的衬底上生长石墨烯成为研究的热点，非金属的基底可以是例如Ge，Si02，h-BN(六角氮化硼)或者陶瓷等其他半导体、绝缘的晶体。其中，晶体Ge对C原子的重组具有很好的催化活性，同时，对C原子具有极低的可溶性，二者之间的热膨胀系数差异小，因此，在Ge衬底上，如Ge(10)，Ge(110)和Ge (111)，通过化学气相沉积(CVD)的方法生长石墨烯成为石墨烯制...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。