技术编号：10625644
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现的尤为明显。由于人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND的优势逐渐显现，对追求极致的业内人士有着非凡的吸引力。在美好的市场前景的驱使下，行业中对NAND结构进行了不懈的探索，开发出了一层为存储单元、另一层为隔离层的电容结构。而电容的深孔结构由氧化硅构成，隔离层则是由氮化硅构成。但是，这种简单的NAND结构已经不足以满足用户的需求，人们苛刻地要求存储结构的尺寸需要...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。