技术编号:10625648
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在使硅晶片等半导体衬底变薄的步骤,或在半导体衬底的平面的一部分形成电路图案的步骤,进而在半导体衬底形成TSV(Through Silicon Via,娃通孔)等贯通电极的步骤等半导体衬底的加工步骤中,已知有如下方法,即为了提高半导体衬底的加工面的平坦性,在已矫正翘曲的状态下使用接着剂贴合半导体衬底与支持衬底而对半导体衬底进行加工。在对半导体衬底进行加工后,需要将半导体衬底与支持衬底分离。作为将半导体衬底与支持衬底分离的方法而考虑例如如下方法,即,使用治具等...
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