技术编号：10625666
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体技术的发展，集成电路尤其是超大规模集成电路中的主要器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管(简称M0SFET)的几何尺寸一直在不断缩小，器件关键尺寸已缩小到0.1 ym的特征尺寸以下，栅介质等效氧化物厚度已小至纳米数量级，使用二氧化硅(Si02)层作为栅极介质的工艺已经达到其物理电气特性的极限，在65nm工艺的晶体管中的二氧化硅层已经缩小到5个氧原子的厚度。作为阻隔栅极和下层的绝缘体，二氧化硅层已经不能再进一步缩小了，否则产生的漏电流会让晶体管无法正...
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