技术编号:10625685
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDM0SFET)在集成电路中的应用越来越广泛,对于off-BV更高,导通电阻(Rdson)更小的LDMOS的需求越来越迫切。通常来说,降低LDMOS Rdson的方法,就是在不断提高漂移区浓度的同时,通过各种降低表面电场(RESURF)理论的应用,使其能够完全耗尽,从而获得低Rdson,并维持很高的off-BV。目前通过此方法已经使Rdson与off-BV之间的关系接近了理论极限。发明内容基于此,有必要提供一种能够获...
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