技术编号:10625724
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在对基片进行刻蚀或沉积等加工工艺时,需要先对基片进行除气处理(degas)。具体地,将基片设置在除气腔室中,然后将基片加热至预定温度(通常可以为350°C),以去除基片上的水蒸汽以及其他易挥发的杂质。进行除气处理后,可以利用机械手将半导体基板从除气腔室中取出。图1中所示的是一种常见的除气腔室示意图,如图1中所示,除气腔室包括加热件100和顶针机构。如图中所示,顶针机构包括升降装置201、升降托架202和设置在升降托架上的顶针203。升降托架202与升降装置...
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