技术编号：10625755
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。传统的各工艺(例如SOI (Silicon-On-1nsulator，绝缘衬底上的娃)工艺)中沟槽隔离结构制备过程通常选用TEOS (tetraethyl orthosilicate，正娃酸乙酯)层作为刻蚀阻挡层(hardmask)。采用这种方法制备沟槽隔离结构时，湿法腐蚀总量较大，在沟槽(Trench)顶部会形成较大的凹槽，其平坦度较差，容易导致多晶残留造成软连接影响产品性能。另外，通过这种方法获得的沟槽隔离结构的关键尺寸较大。发明内容基于此，有必要针对...
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