技术编号：10625768
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着超大规模集成电路（ULSI)的发展，器件特征尺寸不断缩小，互连电阻-电容 (RC)延迟效应严重限制了器件性能的提高，为了降低RC延迟，需要采用低介电常数（k)材 料来代替传统Si02作为互连介质材料。通常来说，减低k值有二个可能的途径一是降低 材料的极化率，通过将一些元素加入二氧化硅晶格中可有效地降低极化率，例如氟、碳、氢 和各种有机分子团（如甲基）。二是通过降低材料密度来降低k值，例如，在介质材料中制 造更多微孔来降低k值。 这当中SiCOH材料由...
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