技术编号:10625781
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,随着场效晶体管(field effect transistors, FETs)元件尺寸持续地缩小,现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制,以非平面(non-planar)的场效晶体管元件,例如鳍状场效晶体管(fin field effect transistor, Fin FET)元件来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积,因此...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。