技术编号:10625823
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。为提高集成电路的性能与功能性,三维(three-dimens1nal, 3D)堆叠技术已广泛用在次世代的集成电路封装。其中,娃穿孔(through silicon vias, TSV's)通常用于建立三维堆叠结构,并还在接合后对三维堆叠结构进行切割或研磨工艺过程。然而,在热循环阶段时,基板与制备在其中的内部元件之间热性质的差异将造成界面性质的下降,并使晶圆产生翘曲,这将会显著影响内部元件的电性能。因此,业界亟需一种改良的,以降低晶圆翘曲的风险,进而增加半导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。