技术编号:10625827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在集成电路制程中,A1(铝)后端制程被广泛的运用。A1在后端制程中通过沉积、 光刻、刻蚀等工艺形成A1导线,再通过上下层的CT (连接孔)或Via (通孔)连接,最终使 芯片中所有的器件按设计互相连接,使芯片能正常工作。 A1薄膜在沉积在晶圆上后,通常的结构如图1所示,包括A1层11、位于A1层11下 方的粘合层(Glue layer) 15、依次形成于所述A1层11上的第一Ti (钛)层12、第一TiN(氮 化钛)层13及电介质抗反射层(DARC) 1...
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